전자 부품 : K4R271869B-NCK8

제조 업체 : Samsung

포장 : microBGA(mirrored CS

핀을 : 54

설명 : 256K x 18 x 32s banks direct RDRAM. Access time 45 ns, I/O freq. 800 MHz.

온도 : 분 °C | 맥스 °C

Datasheet : K4R271869B-NCK8 PDF

• K4R271869B-MCG6
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